逆變器電路圖和詳細原理

逆變器原理如下：

逆變器是一種直流-交流的變壓器
，實際上，它和轉換器一樣 ，都是一個電壓倒置的過程
。變換器是把電網中的 AC電壓轉化皮啟培成12 V的穩壓 DC
，燃唯而逆變器則是把 AdaAH er的12 V DC變換成高頻率的 AC，兩者都使用了更常用的AH M技術。

相關總結：

逆變器是一種將低電壓（12 V,24 V,48 V）轉換成220 V的旁或交流電源 ，由于220 V交流電一般都被整流為直流電
，而逆變器則相反，故名 。

這是一個“移動”的年代 ，手機辦公室
、手機通信、手機休閑 、娛樂
，在運動過程中，不僅要用到電池或者蓄電池提供的高壓直流電源 ，還要用到220 V的交流電源
，這是生活中必不可少的
。

簡單的逆變器電路圖分析

這里介紹3.7v逆變器電路圖的逆變器（見圖）主要由MOS?場效應管3.7v逆變器電路圖，普通電源變壓器構成。其輸出功率取決于MOS?場效應管和電源變壓器的功率 ，免除3.7v逆變器電路圖了煩瑣的變壓器繞制，適合電子愛好者業余制作中采用 。下面介紹該逆變器的工作原理及制作過程
。

電路圖

工作原理

這里我們將詳細介紹這個逆變器的工作原理。

方波信號發生器（見圖3）

這里采用六反相器CD4069構成方波信號發生器 。電路中R1是補償電阻
，用于改善由于電源電壓的變化而引起的振蕩頻率不穩
。電路的振蕩是通過電容C1充放電完成的。其振蕩頻率為f=1/2.2RC 。圖示電路的最大頻率為：fmax=1/2.2×3.3×103×2.2×10-6=62.6Hz;最小頻率fmin=1/2.2×4.3×103×2.2×10-6=48.0Hz
。由于元件的誤差，實際值會略有差異。其它多余的反相器 ，輸入端接地避免影響其它電路 。

場效應管驅動電路

這里采用六反相器CD4069構成方波信號發生器。電路中R1是補償電阻
，用于改善由于電源電壓的變化而引起的振蕩頻率不穩
。電路的振蕩是通過電容C1充放電完成的。其振蕩頻率為f=1/2.2RC 。圖示電路的最大頻率為：fmax=1/2.2×3.3×103×2.2×10-6=62.6Hz;最小頻率fmin=1/2.2×4.3×103×2.2×10-6=48.0Hz
。由于元件的誤差，實際值會略有差異。其它多余的反相器 ，輸入端接地避免影響其它電路 。

場效應管驅動電路

由于方波信號發生器輸出的振蕩信號電壓最大振幅為0~5V
，為充分驅動電源開關電路，這里用TR1
、TR2將振蕩信號電壓放大至0~12V
。如圖4所示。

MOS場效應管電源開關電路 。

這是該裝置的核心 ，在介紹該部分工作原理之前
，先簡單解釋一下MOS?場效應管的工作原理
。

圖5

MOS?場效應管也被稱為MOS?FET，?既Metal?Oxide?Semiconductor?Field?Effect?Transistor（金屬氧化物半導體場效應管）的縮寫。它一般有耗盡型和增強型兩種 。本文使用的為增強型MOS?場效應管 ，其內部結構見圖5
。它可分為NPN型PNP型。NPN型通常稱為N溝道型
，PNP型也叫P溝道型 。由圖可看出，對于N溝道的場效應管其源極和漏極接在N型半導體上 ，同樣對于P溝道的場效做亮應管其源極和漏極則接在P型半導體上。我們知道一般三極管是由輸入的電流控制輸出的電流
。但對于場效應管，其輸出電流是由輸入的電壓（或稱電場）控制
，可以認為輸入電流極小或沒有輸入電流，這使得該器件有很高的輸入阻抗 ，同時這也是我們稱之為場效應管的原因。

圖6

為解釋MOS?場效應管的工作原理
，我們先了解一下僅含有一個P—N結的二極管的工作過程 。如圖6所示，我們知道在二極管加上正向電壓（P端接正極 ，N端接負極）時
，二極管導通，其PN結有電流通過
。這是因為在P型半導體端為正電壓時 ，N型半導體內的負電子被吸引而涌向加有正電壓的P型半導體端
，而P型半導體端內的正電子則朝N型半導體端運動，從而形成導通電流。同理 ，當二極管加上反向電壓（P端接負極
，N端接正極）時，這時在P型半導體端為負電壓 ，正電子被聚集在P型半導體端，負電子則聚集在N型半導體端
，電子不移動，其PN結沒有電流通過 ，二極管截止 。

圖7a????????????????????????????????????????????????????????冊搏???????????圖7b

對于場效應管（見圖7）
，在柵極沒有電壓時，由前面分析可知 ，在源極與漏極之間不會有電流流過
，此時場效應管處與截止狀態（圖7a）
。當有一個正電壓加在N溝道的MOS?場效應管柵極上時，由于電場的作用 ，此時N型半導體的源極和漏極的負電子被吸引出來而涌向柵極
，但由于氧化膜的阻擋，使得電子聚集在兩個N溝道之間的P型半導體中（見圖7b） ，從而形成電流
，使源極和漏極之間導通。我們也可以想像為兩個N型半導體之間為一條溝，柵極電壓的建立相當于為它們之間搭了一座橋梁 ，該橋的大小由柵壓的大小決定 。圖8給出了P溝道的MOS?場效應管的工作過程，其工作原理類似這里不再重復
。

圖8

下面簡述一下用C-MOS場效應管（增強型MOS?場效應管）組成的應用電路的工作過程（見圖9）。電州胡祥路將一個增強型P溝道MOS場效應管和一個增強型N溝道?MOS場效應管組合在一起使用 。當輸入端為低電平時
，P溝道MOS場效應管導通，輸出端與電源正極接通
。當輸入端為高電平時 ，N溝道MOS場效應管導通
，輸出端與電源地接通。在該電路中，P溝道MOS場效應管和N溝道MOS場效應管總是在相反的狀態下工作 ，其相位輸入端和輸出端相反 。通過這種工作方式我們可以獲得較大的電流輸出。同時由于漏電流的影響
，使得柵壓在還沒有到0V，通常在柵極電壓小于1到2V時 ，MOS場效應管既被關斷
。不同場效應管其關斷電壓略有不同。也正因為如此
，使得該電路不會因為兩管同時導通而造成電源短路 。

由以上分析我們可以畫出原理圖中MOS場效應管電路部分的工作過程（見圖10）
。工作原理同前所述。這種低電壓、大電流 、頻率為50Hz的交變信號通過變壓器的低壓繞組時，會在變壓器的高壓側感應出高壓交流電壓 ，完成直流到交流的轉換 。這里需要注意的是
，在某些情況下，如振蕩部分停止工作時 ，變壓器的低壓側有時會有很大的電流通過，所以該電路的保險絲不能省略或短接
。

制作要點

電路板見圖11。所用元器件可參考圖12 。逆變器用的變壓器采用次級為12V
、電流為10A、初級電壓為220V的成品電源變壓器
。P溝道MOS場效應管（2SJ471）最大漏極電流為30A
，在場效應管導通時，漏-源極間電阻為25毫歐。此時如果通過10A電流時會有2.5W的功率消耗 。N溝道MOS場效應管（2SK2956）最大漏極電流為50A ，場效應管導通時
，漏-源極間電阻為7毫歐，此時如果通過10A電流時消耗的功率為0.7W
。由此我們也可知在同樣的工作電流情況下 ，2SJ471的發熱量約為2SK2956的4倍。所以在考慮散熱器時應注意這點 。圖13展示本文介紹的逆變器場效應管在散熱器（100mm×100mm×17mm）上的位置分布和接法。盡管場效應管工作于開關狀態時發熱量不會很大
，出于安全考慮這里選用的散熱器稍偏大
。

逆變器的性能測試

測試電路見圖14。這里測試用的輸入電源采用內阻低 、放電電流大（一般大于100A）的12V汽車電瓶，可為電路提供充足的輸入功率 。測試用負載為普通的電燈泡
。測試的方法是通過改變負載大小 ，并測量此時的輸入電流
、電壓以及輸出電壓。其測試結果見電壓、電流曲線關系圖（圖15a） 。可以看出
，輸出電壓隨負荷的增大而下降，燈泡的消耗功率隨電壓變化而改變
。我們也可以通過計算找出輸出電壓和功率的關系。但實際上由于電燈泡的電阻會隨受加在兩端電壓變化而改變 ，并且輸出電壓 、電流也不是正弦波
，所以這種的計算只能看作是估算 。以負載為60W的電燈泡為例：

假設燈泡的電阻不隨電壓變化而改變
。因為R燈=V2/W=2102/60=735Ω，所以在電壓為208V時 ，W=V2/R=2082/735=58.9W。由此可折算出電壓和功率的關系 。通過測試，我們發現當輸出功率約為100W時
，輸入電流為10A
。此時輸出電壓為200V。

逆變器電路圖

上圖是一個簡單逆變器電路圖3.7v逆變器電路圖，其原理如下3.7v逆變器電路圖：

?C2是隔直電容3.7v逆變器電路圖 ，可以保護電路不過載搜差
，R2是振教蕩調節電阻，大小為1-2歐 ，L1
，L2是初級線圈，L3
、L4是自振蕩線圈 ，L5是輸出線圈 。

? 電源接通
，電流通過R2限世弊皮流，流經L3、L4中間抽頭 ，再經兩頭尾抽頭到功率管基極導通功率管
，經L1 、L2初級線圈，產生一次初級電流 ，再經變壓器耦合，在L5形成次級電流
，第一次振蕩完成。在L1、L2形成電流同時，L3
、L4也通過變壓器形成第二次感應電流 ，再次導通功率管
，這樣這個自激振蕩電路就這樣振蕩下去，直到斷電或管子燒壞
。卜嫌

3.7v逆變器電路圖的介紹就聊到這里吧 ，感謝你花時間閱讀本站內容
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