mos管用數字萬用表怎么測其好壞及引腳？

用數字萬用表測量MOS管好壞及引腳的方法：以N溝道MOS場效應管為例。

一 、先確定MOS管的引腳：

1
、先對MOS管放電，將三個腳短路即可；

1、首先找出場效應管的D極（漏極） 。對于TO-252 、TO-220這類封裝的帶有散熱片的場效應管 ，它們的散熱片在內部是與管子的D極相連的
，故我們可用數字萬用表的二極管檔測量管子的各個引腳，哪個引腳與散熱片相連 ，哪個引腳就是D極
。

2
、找到D極后
，將萬用表調至二極管檔；

3、用黑表筆接觸管子的D極，用紅表筆分別接觸管子的另外兩個引腳。若接觸到某個引腳時 ，萬用表顯示的讀數為一個硅二極管的正向壓降
，那么該引腳即為S極（源極），剩下的那個引腳即為G極（柵極） 。

二 、MOS管好壞的測量：

1
、當把紅表筆放在S極上 ，黑表筆放在D極上，可以測出來這個導通壓降
，一般在0.5V左右為正常；

2、G腳測量，需要先對G極充下電 ，把紅表筆放在G極
，黑表筆放在S極；

3 、再次把紅表筆放在S極上，黑表筆放在D極上 ，可以測出來這個放大壓降
，一般在0.3V左右為正常；

擴展資料

MOS管的主要參數

1、開啟電壓VT

開啟電壓（又稱閾值電壓）：使得源極S和漏極D之間開始形成導電溝道所需的柵極電壓；

標準的N溝道MOS管，VT約為3～6V；通過工藝上的改進 ，可以使MOS管的VT值降到2～3V
。

2
、直流輸入電阻RAH

即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比

這一特性有時以流過柵極的柵流表示

MOS管的RAH可以很容易地超過1010Ω。

3.、漏源擊穿電壓BVDS

在VAH=0（增強型）的條件下
，在增加漏源電壓過程中使ID開始劇增時的VDS稱為漏源擊穿電壓BVDS

ID劇增的原因有下列兩個方面：

（1）漏極附近耗盡層的雪崩擊穿；

（2）漏源極間的穿通擊穿；

有些MOS管中，其溝道長度較短 ，不斷增加VDS會使漏區的耗盡層一直擴展到源區
，使溝道長度為零，即產生漏源間的穿通 ，穿通后，源區中的多數載流子
，將直接受耗盡層電場的吸引，到達漏區 ，產生大的ID 。

4 、柵源擊穿電壓BVAH

在增加柵源電壓過程中
，使柵極電流IG由零開始劇增時的VAH，稱為柵源擊穿電壓BVAH
。

5
、低頻跨導gm

在VDS為某一固定數值的條件下 ，漏極電流的微變量和引起這個變化的柵源電壓微變量之比稱為跨導；

gm反映了柵源電壓對漏極電流的控制能力
，是表征MOS管放大能力的一個重要參數

一般在十分之幾至幾mA/V的范圍內

6、導通電阻RON

導通電阻RON說明了VDS對ID的影響，是漏極特性某一點切線的斜率的倒數

在飽和區 ，ID幾乎不隨VDS改變
，RON的數值很大，一般在幾十千歐到幾百千歐之間

由于在數字電路中 ，MOS管導通時經常工作在VDS=0的狀態下
，所以這時的導通電阻RON可用原點的RON來近似

·對一般的MOS管而言，RON的數值在幾百歐以內

7 、極間電容

三個電極之間都存在著極間電容：柵源電容CAH
、柵漏電容CGD和漏源電容CDS

CAH和CGD約為1～3pF ，CDS約在0.1～1pF之間

8、低頻噪聲系數NF

噪聲是由管子內部載流子運動的不規則性所引起的。·由于它的存在，就使一個放大器即便在沒有信號輸人時
，在輸出端也出現不規則的電壓或電流變化

噪聲性能的大小通常用噪聲系數NF來表示，它的單位為分貝（dB） 。這個數值越小 ，代表管子所產生的噪聲越小

低頻噪聲系數是在低頻范圍內測出的噪聲系數

場效應管的噪聲系數約為幾個分貝
，它比雙極性三極管的要小

怎么用萬用表測量MOS管的好壞?

以N溝道MOS場效應管5N60C為例，來詳細介紹一下具體的測量方法。

1.N溝道MOS場效應管好壞的測量方法

2.用數字萬用表二極管檔正向測量5N60C的D-S兩極
。

測量5N60C好壞時 ，首先將萬用表量程開關調至二極管檔
，將5N60C的G極懸空，用紅黑表筆分別接觸5N60C的D-S兩極 ，若是好的管子
，萬用表顯示為“OL”，即溢出（見上圖）。

3.用數字萬用表二極管檔反向測量5N60C的D-S兩極 。

然后調換紅黑表筆 ，再去測量D-S兩極
，則萬用表顯示的讀數為一個硅二極管的正向壓降（見上圖）
。

若MOS場效應管內部D-S兩極之間的寄生二極管擊穿損壞，用二極管檔測量時 ，萬用表顯示的讀數接近于零。

4.用萬用表的二極管檔給5N60C柵源兩極（G-S兩極）之間的電容充電 。對于N溝道MOS場效應管充電時，紅表筆應接管子的G極
，黑表筆接管子的S極
。

在測量完5N60C的D-S兩極，并且確實是好的之后 ，然后用二極管檔給MOS場效應管的柵源兩極之間的電容充電。

由于MOS場效應管的輸入電阻在GΩ級（GΩ讀作吉歐
，1GΩ＝1000MΩ），數字萬用表二極管檔的開路測量電壓約為2.8～3V ，故用二極管檔的測量電壓給MOS場效應管的柵源兩極之間的電容充電后
，可以使MOS場效應管D-S兩極之間的電阻變得很小，故用這個方法可以測量場效應管G-S兩極之間是否損壞 。

5.5N60C的G-S兩極間的電容充電后 ，用電阻檔實測D-S兩極之間的正向電阻為155.4Ω
。

6.用萬用表電阻檔實測5N60C的D-S兩極之間的反向電阻為67.2Ω。

上面為一個好的N溝道MOS場效應管的測量數據 。對于P溝道MOS場效應管的測量方法與上述測量一樣
，只是萬用表表筆需要調換一下極性
。

擴展資料：

mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。MOS管的source和drain是可以對調的 ，他們都是在P型backgate中形成的N型區 。在多數情況下
，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的
。

場效應管（FET） ，把輸入電壓的變化轉化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的transconductance，定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比 。市面上常有的一般為N溝道和P溝道
，詳情參考右側圖片（N溝道耗盡型MOS管）
。而P溝道常見的為低壓mos管。

場效應管通過投影一個電場在一個絕緣層上來影響流過晶體管的電流 。事實上沒有電流流過這個絕緣體，所以FET管的GATE電流非常小
。

最普通的FET用一薄層二氧化硅來作為GATE極下的絕緣體。這種晶體管稱為金屬氧化物半導體(MOS)晶體管 ，或,金屬氧化物半導體場效應管（MOSFET） 。因為MOS管更小更省電
，所以他們已經在很多應用場合取代了雙極型晶體管
。

電路中MOS管的好壞該如何判斷？

一.紅左，黑中 、右無窮大黑左 ，紅中
、右無窮大紅中
，黑右無窮大；黑中紅右顯示530（左右）。其實場效應管三極管很好判斷：有字面朝上從左到右依次為：G、D 、S，有些管相反：S
、D、G 。我修顯示器 、主板、電源都是從上面的方法測絕對沒問題
。你不信隨便拆塊板看一看 ，場效應管在電路圖板的布局及應VMOS大功率場效應晶體管的檢測。

二．1判別各電極與管型 。用萬用表R×100檔
，測量場效應晶體管任意兩引腳之間的正
、反向電阻值。其中一次測量中兩引腳的電阻值為數百歐姆，這時兩表筆所接的引腳為源極S和漏極D ，而另一引腳為柵極G
。再用萬用表R×10k檔測量兩引腳（漏極D與源極S）之間的正、反向電阻值。正常時
，正向電阻值為2kΩ左右，反向電阻值大于500kΩ 。在測量反向電阻值時 ，紅表筆所接引腳不動，黑表筆脫離所接引腳后
，先與柵極G觸碰一下，然后再去接原引腳 ，觀察萬用表讀數的變化情況
。若萬用表讀數由原來較大阻值變為0
，則此紅表筆所接的即是源極S，黑表筆所接為漏極D。用黑表筆觸發柵極G有效 ，說明該管為N溝道場效應管 。若萬用表讀數仍為較大值
，則黑表筆接回原引腳不變，改用紅表筆去觸碰柵極G后再接回原引腳 ，若此時萬用表讀數由原來阻值較大變為0
，則此時黑表筆接的為源極S，紅表筆接的是漏極D
。用表紅筆觸發柵極G有效 ，說明該管為P溝道場效應晶體管。

2．判別其好壞 。用萬用表R×1k檔或R×10k檔
，測量場效應管任意兩腳之間的正 、反向電阻值
。正常時，除漏極與源極的正向電阻值較小外 ，其余各引腳之間（G與D
、G與S）的正、反向電阻值均應為無窮大。若測得某兩極之間的電阻值接近0Ω，則說明該管已擊穿損壞 。另外
，還可以用觸發柵極（P溝道場效應晶體管用紅表筆觸發，N溝道場效應管用黑表筆觸發）的方法來判斷場應管是否損壞
。若觸發有效（觸發柵極G后 ，D 、S極之間的正
、反向電阻均變為0）
，則可確定該管性能良好。用吧三,1用10K檔,內有15伏電池.可提供導通電壓.2因為柵極等效于電容,與任何腳不通,不論N管或P管都很容易找出柵極來,否則是壞管.3利用表筆對柵源間正向或反向充電,可使漏源通或斷,且由于柵極上電荷能保持,上述兩步可分先后,不必同步,方便.但要放電時需短路管腳或反充.4大都源漏間有反并二極管,應注意,及幫助判斷.5大都封莊為字面對自已時,左柵中漏右源 。

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