MOS管一般又叫場效應管mos場效應管的全稱,與二極管和三極管不同 ,二極管只慶擾能通過正向電流,反向截止,不能控制 ,三極管咐差世通俗講就是小電流放大成衡肢受控mos場效應管的全稱的大電流,MOS管是小電壓控制電流的。
MOS管的輸入電阻極大,兆歐級的 ,容易驅動,但是價格比三極管要高,一般適用于需要小電壓控制大電流的情況 ,電磁爐里一般就是用的20A或者25a的場效應管 。
拓展資料mos場效應管的全稱:
MOS電容的特性能被用來形成MOS管。Gate,電介質和backgate保持原樣。在GATE的兩邊是兩個額外的選擇性摻雜的區域 。其中一個稱為source,另一個稱為drain。假設source 和backgate都接地,drain接正電壓。
MOS管全稱是MOSFET ,意思是金屬絕緣柵型場效應管,因為它的柵極與溝道清棗搭之間有一層絕緣層而得名,且柵極通常采用鋁金屬作為材料而得名 。
它是場效應管的一種(另外一種是結型場效應管)。
與結型管相比 ,MOS管的輸入電阻更巖粗大,通過電流能力很強,耐壓值也可以做到比較高 ,可以承受更大的功率。但在頻率特性上面,MOS管的表現不如結型管 。
因此MOS管一般被用于功率電路中,包括驅動電路 ,電源電路,大電流開關等。而在答拿晶體管常用的小信號放大場合,結型管用得更多一些。
MOSFET
全稱是“金屬氧化物半導體場效應管”(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)
為減少續流電流在寄生二極管上產生mos場效應管的全稱的損耗mos場效應管的全稱 ,在一些應用中使用 MOSFET 作為逆變元件。由于 MOAH ET 具有導通阻抗低、電流可以雙向流動的特點mos場效應管的全稱,在 M1 關斷mos場效應管的全稱,進入續流階段時,開通 M 2 ,使續流電流流經 M2,由于 MOSFET 的導通阻抗極低,損耗很小 ,例如當續流電流為 10A, MOSFET 導通電阻 10mΩ,二極管 D2 壓降 0.7v 時 ,若續流電流流經 D2 時產生損耗為 7W, 而流經 MOSFET 時產生損耗僅為 1W,槐隱因此使用這種控制方式可以減少損耗 ,提高逆變器的效 率,在續流電鉛慎廳流大的情況下效果更加明顯 。這種控制方式亦稱為同步整流。
MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET),可以被制造成增強型或耗盡型 ,P溝道或N溝道共4種類型,但實際應用的只有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管孝拍,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是這兩種。
MOSFET 依照其“通道 ”的極性不同 ,可分為n-channel與p-channel的MOSFET,通常又稱為NMOSFET 與PMOSFET 。
目前主板或顯卡上使用mos場效應管的全稱的MOS管并不太多mos場效應管的全稱,一般有10個左右。主要原因是大部分MOS管集成在IC芯片中。因為MOS管主要為配件提供穩定的電壓mos場效應管的全稱 ,所以一般用在CPU 、AGP插槽、內存插槽附近 。仔清其中,CPU和AGP插槽附近布置mos場效應管的全稱了一組MOS管,而內存插槽共用一組MOS管。一般來說 ,MOS管兩個一組出現在主板上。工作原理雙極晶體管將輸入端的小電流變化放大,然后在輸出端輸出大的電流變化 。雙極晶體管的增益定義為輸出電流與輸入電流之比(β)。另一種晶體管叫FET,把輸入電壓的變化轉化為輸出電流的變化。它們是電流控制裝置和電壓控制裝置 。FET的增益等于其跨導)gm ,跨導定義為輸出電流的變化與輸入電壓的變化之比。FET的名字也來源于它的輸入柵極(稱為gate),它通過在絕緣層(氧化物SIO2)上投射電場來影響流經晶體管的電流。實際上沒有電念褲前流流過這個絕緣體(只是電容的作用),所以FET的柵極電流很小(電容的電流損耗)。最常見的FET在柵電極純戚下使用一薄層二氧化硅作為絕緣體 。這種晶體管被稱為金屬氧化物半導體(MOS)晶體管 ,或金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)。
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本文標簽:mos場效應管的全稱芯片控制驅動
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