1、場效應管是電壓控制器件,它通過VAH(柵源電壓)來控制ID(漏極電流);
2、場效應管的控制輸入端電流極小,因此它的輸入電阻(107~1012Ω)很大。
3 、利用多數載流子導電 ,因此它的溫度穩定性較好;
4、組成的放大電路的電壓放大系數要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數;
5、場效應管的抗輻射能力強;
6 、由于它不存在雜亂運動的電子擴散引起的散粒噪聲,所以噪聲低。
擴展資料:
場效應管分為接合型場效應管和MOS型場效應管兩類 。
接合型場效應管即使柵極電壓為零,也有電流流通 ,因此用于恒定電流源或因低噪音而用于音頻放大器等。
MOS型場效應管因其結構簡單、速度快,且柵極驅動簡單、具有耐破壞力強等特征,而且使用微細加工技術的話 ,即可直接提高性能,因此被廣泛使用于由LSI的基礎器件等高頻器件到功率器件(電力控制器件)等的領域中。
參考資料來源:百度百科——場效應管
MOS管的原理:
它是利用VAH來控制“感應電荷”的多少,以改變由這些“感應電荷 ”形成的導電溝道的狀況,然后達到控制漏極電流的目的 。在制造管子時 ,通過工藝使絕緣層中出現大量正離子,故在交界面的另一側能感應出較多的負電荷,這些負電荷把高滲雜質的N區接通,形成了導電溝道 ,即使在VAH=0時也有較大的漏極電流ID。當柵極電壓改變時,溝道內被感應的電荷量也改變,導電溝道的寬窄也隨之而變 ,因而漏極電流ID隨著柵極電壓的變化而變化。
作用:
1 、可應用于放大電路 。由于MOS管放大器的輸入阻抗很高,因此耦合電容可以容量較小,不必使用電解電容器。
2、很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換 。
3、可以用作可變電阻。
4 、可以方便地用作恒流源。
5、可以用作電子開關 。
簡介:
mos管 ,即在集成電路中絕緣性場效應管。是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導體(semiconductor)場效應晶體管。或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。MOS管的source和drain是可以對調的,都是在P型backgate中形成的N型區 。在多數情況下,這個兩個區是一樣的 ,即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。
結構特點:
MOS管的內部結構如下圖所示;其導通時只有一種極性的載流子(多子)參與導電,是單極型晶體管 。導電機理與小功率MOS管相同,但結構上有較大區別 ,小功率MOS管是橫向導電器件,功率MOSFET大都采用垂直導電結構,又稱為VMOSFET,大大提高了MOSFET器件的耐壓和耐電流能力。
?
n溝道mos管? ? ? ? ? ? ? ? ?
p溝道mos管
其主要特點是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層 ,因此具有很高的輸入電阻,該管導通時在兩個高濃度n擴散區間形成n型導電溝道。n溝道增強型MOS管必須在柵極上施加正向偏壓,且只有柵源電壓大于閾值電壓時才有導電溝道產生的n溝道MOS管 。n溝道耗盡型MOS管是指在不加柵壓(柵源電壓為零)時 ,就有導電溝道產生的n溝道MOS管。
MOS場效應管屬于電壓控制元件mos場效應管屬于什么控制器件,這一點類似于電子管mos場效應管屬于什么控制器件的三極管,但它mos場效應管屬于什么控制器件的構造與工作原理和電子管是截然不同mos場效應管屬于什么控制器件的。
通常被用于放大電路或開關電路 。而在主板上的電源穩壓電路中 ,MOS主要是判斷電位,它在主板上常用“Q”加數字表示。
場效應管的結構,它是在一塊N型半導體的兩邊 雜質擴散出高濃度的P型 ,用P 在漏、源極間加上正向電壓,N區中的多子(也 電子) 導電。 從源極S出發,流向漏極D 。電流方向由D指向S
O O O
I -------I--------------I------------------I----------I
I 源極S 柵極 K 漏極D I
I N + P+ N+ I
i----------------------------------------------------I-
三極管和場效應管是在放大 、開關電路中應用非常普遍的電子元件。
1、三極管
最初發明的是三極管 ,以其優異的性能迅速代替了電子管,但后來在應用中三極管暴露出一些先天不足--結構上問題所導致的缺陷,在這種形勢下迫切要求制造一種能夠克服三極管缺陷的晶體管,于是場效應管就應用而生了。
2、場效應管
最大特點就是輸入阻抗極高 ,這是三極管無法比擬的,然而它的出現并沒有像晶體管淘汰電子管一樣而完全取代三極管,它也不是萬能的 ,在有些方面不如三極管,因此不能籠統的說誰好誰不好。
由于場效應管是在三極管的基礎上研制而成的,所以它許多方面和三極管有相似的地方 ,二者珠聯璧合應用廣泛 。
擴展資料:
三極管和場效應管的區別
1、電極區別
三極管有基極b 、發射極e、集電極c三個電極,場效應管也有G極、源極S 、漏極D三個電極,它們二者有對應關系 ,電極的作用相似,即基極-柵極都是控制極,發射極對應源極 ,集電極對應漏極,都是被控電極。
2、控制類型
三極管是電流控制型器件,也就是通過基極電流的變化控制集電極電流的變化;場效應管屬于電壓控制型器件,也就是通過柵極電壓的變化來控制源漏極電流大小。
二者的工作原理是不同的 ,三極管是通過基極電流來控制集電極電流大小的,而場效應管是通過柵壓改變導電溝道的寬度來控制電流的變化 。
3、阻抗差別
三極管輸入阻抗較低,在幾百歐姆-幾千歐姆之間 ,基極電流較大,輸出電阻較高,對前級電路影響較大 ,阻抗不匹配時幾乎不能工作;場效應管的輸入阻抗極高,達到兆歐以上,MOS管更高 ,柵極幾乎沒有電流,對前級電路影響較小,和三極管一樣輸出電阻也較高。
目前主板或顯卡上使用的MOS管并不太多 ,一般有10個左右。主要原因是大部分MOS管集成在IC芯片中 。因為MOS管主要為配件提供穩定的電壓,所以一般用在CPU 、AGP插槽、內存插槽附近。其中,CPU和AGP插槽附近布置了一組MOS管,而內存插槽共用一組MOS管。一般來說 ,MOS管兩個一組出現在主板上 。工作原理雙極晶體管將輸入端的小電流變化放大,然后在輸出端輸出大的電流變化。雙極晶體管的增益定義為輸出電流與輸入電流之比(β)。另一種晶體管叫FET,把輸入電壓的變化轉化為輸出電流的變化 。它們是電流控制裝置和電壓控制裝置。FET的增益等于其跨導)gm ,跨導定義為輸出電流的變化與輸入電壓的變化之比。FET的名字也來源于它的輸入柵極(稱為gate),它通過在絕緣層(氧化物SIO2)上投射電場來影響流經晶體管的電流。實際上沒有電流流過這個絕緣體(只是電容的作用),所以FET的柵極電流很小(電容的電流損耗) 。最常見的FET在柵電極下使用一薄層二氧化硅作為絕緣體。這種晶體管被稱為金屬氧化物半導體(MOS)晶體管 ,或金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)。
關于mos場效應管屬于什么控制器件和mos場效應管工作原理的介紹到此就結束了,不知道你從中找到你需要的信息了嗎 ?如果你還想了解更多這方面的信息,記得收藏關注本站 。
推薦閱讀:
版權說明:如非注明,本站文章均為 深圳市振邦微科技有限公司-220v轉12v|220v轉5v|電源模塊|升降壓芯片 原創,轉載請注明出處和附帶本文鏈接。