mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導體(semiconductor)場效應晶體管。或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體 。 雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后,在輸出端輸出一個大的電流變化。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比(beta)。另一種晶體管 ,叫做場效應管(FET),把輸入電壓的變化轉化為輸出電流的變化 。FET的增益等于它的transconductance, 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。 場效粗蘆應管的名字也來源于它的輸入端(稱為gate)通過投影一個電場在一個絕緣層上來影響流過晶體管的電流。事實上沒有電流流余哪過這個絕緣體 ,所以FET管的GATE電流非常小 。最普通的FET用一薄層二氧化硅來作巖毀帶為GATE極下的絕緣體。這種晶體管稱為金屬氧化物半導體(MOS)晶體管,或,金屬氧化物半導體場效應管(MOSFET)。因為MOS管更小更省電,所以他們已經在很多應用場合取代了雙極型晶體管。
mos管的握殲盯作用:可應用于放大電路 。由于MOS管放大器的輸入阻抗很高 ,因此耦合電容可以容量較小,不必使用電解電容器。很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換 。可以用作可變電阻。可以方便地用作恒流源。可以用作電子開關 。
MOS管為壓控元件,只要加到它的壓控元件所需電壓就能使它導通,它的導通就像三極管在飽和狀態一樣 ,導通結的壓降最小,常說的精典是開關作用。去掉這個控制電壓經就截止。
MOS管即金屬氧化物半導體型場效應管,屬于場效應晶體管中的絕緣柵型 。因此 ,MOS管有時被稱為場效應管。在一般電子電路中,MOS管通常被用于放大電路或開關電路。
MOS管的特性
開關特性 。MOS管是壓控器件,作為開關時 ,NMOS只要滿足VgsVgs(th)即可導通,PMOS只要滿足Vgs。
開關損耗。MOS的損耗主要包括開關損耗和導通損耗,導通損耗是由于導通后存在導通電阻而產生的 ,導通電阻都很小。段和開關損耗是在MOS由可變電阻區進入夾斷區的過程中,MOS處于恒流改汪區時所產生的損耗 。開關損耗遠大于導通損耗。減小損耗通常有兩個方法,一是縮短開關時間 ,二是降低開關頻率。
由壓控所導致的的開關特性 。由于制作工藝的限制,NMOS的使用場景要遠比PMOS廣泛,因此在將更適合于高端驅動的PMOS替換成NMOS時便出現了問題。
在寬電壓的應用場景中,柵極的控制電壓很多時候是不確定的 ,為了保證MOS管的安全工作,很多MOS管內置了穩壓管來限制柵極的控制電壓。
MOS管的作用 MOS管為壓控元件,你只要加到它的壓控元件所需電壓就能使它導通,它的導通就像三極管在飽和狀態一樣,導通結的壓降最小.這就是常說的精典是開關作用.去掉這個控制電壓經就截止. MOS管 MOS管的英文全稱悄或叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor),即金屬氧化物半導體型場效應管 ,屬于場效應晶體管中的絕緣柵型 。因此,MOS管有時被稱為場效應管。在一般電子電路中,MOS管通常被用于放大電路或開關電路。而在主板上的電源穩壓電路中 ,MOSFET扮悄運神演的角色主要是判斷電位,它在主板上常用“Q ”加數字表示 。 一、MOS管的作用是什么? 目前主板或顯卡上所采用的MOS管并不是太多,一般有10個左右 ,主要原因是大部分MOS管被整合到IC芯片中去了。由于MOS管主要是為配件提供穩定的電壓,所以它一般使用在CPU 、AGP插槽和內存插槽附近。其中在CPU與AGP插槽附近各安排一組MOS管,而內存插槽則共用了一組MOS管 ,MOS管一般是以兩個組成一組的形式出現主板上的 。 二、MOS管的性能參數有哪些? 優質的MOS管能夠承受的電流峰值更高。一般情況下我們要判斷主板上MOS管的質量高低,可以看它能承受的最大電流值。影響MOS管質量高低的參數非常多,像極端電流、極端電壓等。但在MOS管上無法標注這么多參數,所以在MOS管表面一般只標注了產品的型號 ,我們可以根據該型號上網查找具體的性能參數 。 還要說明的是,溫度也是MOS管一個非常重要的性能參數。主要包括環境溫度 、管殼溫度、貯成溫度等。由于CPU頻率的提高,MOS管需要承受的電流也隨著增強 ,提供近百A的電流已經很常見了 。如此巨大的電流通過時產生的熱量當然使MOS管“發燒”了。為了MOS管的安全,高品質主板也開始為MOS管加裝散熱片了。 電感與MOS管是如何合作的? 通過上面的介紹,我們知道MOS管對于整個供電系統起著穩壓的作用 ,但是MOS管不能單獨使用,它必須和電感線圈、電容等共同組成的濾波穩壓電路,才能發揮充分它的優勢 。 主板上的AH M(Plus Width Modulator ,脈沖寬度調制器)芯片產啟虧生一個寬度可調的脈沖波形,這樣可以使兩只MOS管輪流導通。當負載兩端的電壓(如CPU需要的電壓)要降低時,這時MOS管的開關作用開始生效 ,外部電源對電感進行充電并達到所需的額定電壓。當負載兩端的電壓升高時,通過MOS管的開關作用,外部電源供電斷開,電感釋放出剛才充入的能量 ,這時的電感就變成了“電源”,繼續對負載供電 。隨著電感上存儲能量的不斷消耗,負載兩端的電壓又開始逐漸降低 ,外部電源通過MOS管的開關作用又要充電。這樣循環不斷地進行充電和放電的過程,從而形成一種穩定的電壓,永遠使負載兩端的電壓不會升高也不會降低。
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