mos管主要參數及使用注意事項

1.選用合適mos管場效應管在使用時要注意什么的輸入電壓規格;

2.選擇合適的功率。為mos管場效應管在使用時要注意什么了使電源的壽命增長mos管場效應管在使用時要注意什么，建議選用多30%輸出功率額定的機種 。例如若系統需要一個100W的電源 ，則建議挑選大于130W輸出功率額定的機種
，以此類推可有效提升電源的壽命
。

3.考慮負載特性。如果負載是馬達 、燈泡或電容性負載，當開機瞬間時電流較大 ，應選用合適電源以免過載 。如果負載是馬達時應考慮停機時電壓倒灌
。

4.此外尚需考慮電源的工作環境溫度
，及有無額外的輔助散熱設備，在過高的環溫電源需減額輸出。環溫對輸出功率的減額曲線

5.根據應用所需選擇各項功能mos管場效應管在使用時要注意什么： 保護功能mos管場效應管在使用時要注意什么：過電壓保護（OVP）
、過溫度保護（OAH ）、過負載保護（OLP）等 。 應用功能：信號功能（供電正常 、供電失效）
、遙控功能、遙測功能 、并聯功能等
。 特殊功能 ： 功因矯正 （PFC） 
、不斷電 （UPS）

6.選擇所需符合的安規及電磁兼容 （EMC） 認證。

開關電源是利用現代電力電子技術 ，控制開關管開通和關斷的時間比率
，維持穩定輸出電壓的一種電源，開關電源一般由脈沖寬度調制（AH M）控制IC和MOSFET構成 。隨著電力電子技術的發展和創新 ，使得開關電源技術也在不斷地創新。

場效應管的使用注意事項

MOS場效應管

即金屬-氧化物-半導體型場效應管mos管場效應管在使用時要注意什么，英文縮寫為MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor）mos管場效應管在使用時要注意什么
，屬于絕緣柵型
。其主要特點是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層mos管場效應管在使用時要注意什么，因此具有很高的輸入電阻（最高可達1015Ω）。它也分N溝道管和P溝道管 ，符號如圖1所示 。通常是將襯底（基板）與源極S接在一起
。根據導電方式的不同
，MOSFET又分增強型、耗盡型。所謂增強型是指mos管場效應管在使用時要注意什么：當VAH =0時管子是呈截止狀態，加上正確的VAH 后 ，多數載流子被吸引到柵極
，從而“增強”了該區域的載流子，形成導電溝道 。耗盡型則是指 ，當VAH =0時即形成溝道
，加上正確的VAH 時，能使多數載流子流出溝道 ，因而“耗盡 ”了載流子
，使管子轉向截止
。

以N溝道為例，它是在P型硅襯底上制成兩個高摻雜濃度的源擴散區N+和漏擴散區N+ ，再分別引出源極S和漏極D。源極與襯底在內部連通，二者總保持等電位 。圖1（a）符號中的前頭方向是從外向電
，表示從P型材料（襯底）指身N型溝道
。當漏接電源正極，源極接電源負極并使VAH =0時 ，溝道電流（即漏極電流）ID=0。隨著VAH 逐漸升高
，受柵極正電壓的吸引，在兩個擴散區之間就感應出帶負電的少數載流子 ，形成從漏極到源極的N型溝道
，當VAH 大于管子的開啟電壓VTN（一般約為+2V）時，N溝道管開始導通 ，形成漏極電流ID 。

國產N溝道MOSFET的典型產品有3DO1 、3DO2、3DO4（以上均為單柵管）
，4DO1（雙柵管）
。它們的管腳排列（底視圖）見圖2。

MOS場效應管比較“嬌氣
” 。這是由于它的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小 ，極易受外界電磁場或靜電的感應而帶電
，而少量電荷就可在極間電容上形成相當高的電壓（U=Q/C），將管子損壞。因此了廠時各管腳都絞合在一起 ，或裝在金屬箔內，使G極與S極呈等電位
，防止積累靜電荷
。管子不用時，全部引線也應短接。在測量時應格外小心 ，并采取相應的防靜電感措施 。下面介紹檢測方法
。

1．準備工作

測量之前
，先把人體對地短路后，才能摸觸MOSFET的管腳。最好在手腕上接一條導線與大地連通 ，使人體與大地保持等電位 。再把管腳分開
，然后拆掉導線
。

2．判定電極

將萬用表撥于R×100檔，首先確定柵極。若某腳與其它腳的電阻都是無窮大 ，證明此腳就是柵極G 。交換表筆重測量
，S-D之間的電阻值應為幾百歐至幾千歐，其中阻值較小的那一次 ，黑表筆接的為D極
，紅表筆接的是S極
。日本生產的3SK系列產品，S極與管殼接通 ，據此很容易確定S極。

3．檢查放大能力（跨導）

將G極懸空，黑表筆接D極
，紅表筆接S極，然后用手指觸摸G極 ，表針應有較大的偏轉 。雙柵MOS場效應管有兩個柵極G1
、G2
。為區分之
，可用手分別觸摸G1、G2極，其中表針向左側偏轉幅度較大的為G2極。

目前有的MOSFET管在G-S極間增加了保護二極管 ，平時就不需要把各管腳短路了 。

VMOS場效應管

VMOS場效應管（VMOSFET）簡稱VMOS管或功率場效應管
，其全稱為V型槽MOS場效應管。它是繼MOSFET之后新發展起來的高效 、功率開關器件
。它不僅繼承了MOS場效應管輸入阻抗高（≥108W）
、驅動電流小（左右0.1μA左右），還具有耐壓高（最高可耐壓1200V）、工作電流大（1.5a～100A） 、輸出功率高（1～250W）
、跨導的線性好、開關速度快等優良特性。正是由于它將電子管與功率晶體管之優點集于一身 ，因此在電壓放大器（電壓放大倍數可達數千倍） 、功率放大器
、開關電源和逆變器中正獲得廣泛應用 。

眾所周知
，傳統的MOS場效應管的柵極、源極和漏極大大致處于同一水平面的芯片上，其工作電流基本上是沿水平方向流動
。VMOS管則不同 ，從圖1上可以看出其兩大結構特點:第一
，金屬柵極采用V型槽結構；第二，具有垂直導電性。由于漏極是從芯片的背面引出 ，所以ID不是沿芯片水平流動，而是自重摻雜N+區（源極S）出發
，經過P溝道流入輕摻雜N-漂移區，最后垂直向下到達漏極D 。電流方向如圖中箭頭所示 ，因為流通截面積增大
，所以能通過大電流
。由于在柵極與芯片之間有二氧化硅絕緣層，因此它仍屬于絕緣柵型MOS場效應管。

國內生產VMOS場效應管的主要廠家有877廠 、天津半導體器件四廠
、杭州電子管廠等 ，典型產品有VN401、VN672 、VMAH 2等 。表1列出六種VMOS管的主要參數
。其中
，IRFPC50的外型如圖3所示。

下面介紹檢測VMOS管的方法 。

1．判定柵極G

將萬用表撥至R×1k檔分別測量三個管腳之間的電阻
。若發現某腳與其字兩腳的電阻均呈無窮大，并且交換表筆后仍為無窮大 ，則證明此腳為G極
，因為它和另外兩個管腳是絕緣的。

2．判定源極S、漏極D

由圖1可見，在源-漏之間有一個PN結 ，因此根據PN結正
、反向電阻存在差異
，可識別S極與D極 。用交換表筆法測兩次電阻，其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻 ，此時黑表筆的是S極，紅表筆接D極。

3．測量漏-源通態電阻RDS（on）

將G-S極短路
，選擇萬用表的R×1檔，黑表筆接S極 ，紅表筆接D極
，阻值應為幾歐至十幾歐
。

由于測試條件不同，測出的RDS（on）值比手冊中給出的典型值要高一些。例如用500型萬用表R×1檔實測一只IRFPC50型VMOS管 ，RDS（on）=3.2W
，大于0.58W（典型值） 。

4．檢查跨導

將萬用表置于R×1k（或R×100）檔，紅表筆接S極 ，黑表筆接D極
，手持螺絲刀去碰觸柵極，表針應有明顯偏轉 ，偏轉愈大
，管子的跨導愈高
。

注意事項：

（1）VMOS管亦分N溝道管與P溝道管，但絕大多數產品屬于N溝道管。對于P溝道管 ，測量時應交換表筆的位置 。

（2）有少數VMOS管在G-S之間并有保護二極管，本檢測方法中的1、2項不再適用
。

（3）目前市場上還有一種VMOS管功率模塊
，專供交流電機調速器 、逆變器使用。例如美國IR公司生產的IRFT001型模塊，內部有N溝道
、P溝道管各三只 ，構成三相橋式結構 。

（4）現在市售VNF系列（N溝道）產品
，是美國Supertex公司生產的超高頻功率場效應管，其最高工作頻率fp=120MHz ，IDSM=1A
，PDM=30W，共源小信號低頻跨導gm=2000μS
。適用于高速開關電路和廣播、通信設備中。

（5）使用VMOS管時必須加合適的散熱器后 。以VNF306為例 ，該管子加裝140×140×4（mm）的散熱器后
，最大功率才能達到30W

場效應晶體管

場效應晶體管(FET)簡稱場效應管，它屬于電壓控制型半導體器件 ，具有輸入電阻高（108～109Ω） 、噪聲小
、功耗低、沒有二次擊穿現象 、安全工作區域寬等優點
，現已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者
。

場效應管分結型
、絕緣柵型兩大類。結型場效應管（JFET）因有兩個PN結而得名，絕緣柵型場效應管（JGFET）則因柵極與其它電極完全絕緣而得名 。目前在絕緣柵型場效應管中 ，應用最為廣泛的是MOS場效應管，簡稱MOS管（即金屬-氧化物-半導體場效應管MOSFET）；此外還有PMOS、NMOS和VMOS功率場效應管
，以及最近剛問世的πMOS場效應管 、VMOS功率模塊等。

按溝道半導體材料的不同，結型和絕緣柵型各分溝道和P溝道兩種
。若按導電方式來劃分 ，場效應管又可分成耗盡型與增強型。結型場效應管均為耗盡型
，絕緣柵型場效應管既有耗盡型的，也有增強型的 。

場效應晶體管可分為結場效應晶體管和MOS場效應晶體管
。而MOS場效應晶體管又分為N溝耗盡型和增強型；P溝耗盡型和增強型四大類。見附圖1 。

MOS場效應晶體管使用注意事項
。

MOS場效應晶體管在使用時應注意分類 ，不能隨意互換。MOS場效應晶體管由于輸入阻抗高（包括MOS集成電路）極易被靜電擊穿
，使用時應注意以下規則：

1. MOS器件出廠時通常裝在黑色的導電泡沫塑料袋中，切勿自行隨便拿個塑料袋裝 。也可用細銅線把各個引腳連接在一起 ，或用錫紙包裝

2.取出的MOS器件不能在塑料板上滑動
，應用金屬盤來盛放待用器件
。

3. 焊接用的電烙鐵必須良好接地。

4. 在焊接前應把電路板的電源線與地線短接，再MOS器件焊接完成后在分開 。

5. MOS器件各引腳的焊接順序是漏極
、源極、柵極
。拆機時順序相反。

6.電路板在裝機之前 ，要用接地的線夾子去碰一下機器的各接線端子
，再把電路板接上去 。

7. MOS場效應晶體管的柵極在允許條件下，最好接入保護二極管。在檢修電路時應注意查證原有的保護二極管是否損壞
。

場效應管的測試。

下面以常用的3DJ型N溝道結型場效應管為例解釋其測試方法：

3DJ型結型場效應管可看作一只NPN型的晶體三極管 ，柵極G對應基極b，漏極D對應集電極c
，源極S對應發射極e 。所以只要像測量晶體三極管那樣測PN結的正 、反向電阻既可
。把萬用表撥在R*100擋用黑表筆接場效應管其中一個電極，紅表筆分別接另外兩極 ，當出現兩次低電阻時
，黑表筆接的就是場效應管的柵極。紅表筆接的就是漏極或源極 。對結型場效應管而言，漏極和源極可以互換
。對于有4個管腳的結型場效應管 ，另外一極是屏蔽極（使用中接地）。

目前常用的結型場效應管和MOS型絕緣柵場效應管的管腳順序如圖2所示 。

場效應晶體管的好壞的判斷
。

先用MF10型萬用表R*100KΩ擋（內置有15V電池）
，把負表筆（黑）接柵極（G），正表筆（紅）接源極（S）。給柵、源極之間充電 ，此時萬用表指針有輕微偏轉 。再該用萬用表R*1Ω擋
，將負表筆接漏極（D），正表筆接源極（S） ，萬用表指示值若為幾歐姆
，則說明場效應管是好的
。

調試mos電路有哪些注意事項

什么是MOS管?它有什么注意事項?MOS管即MOSFETmos管場效應管在使用時要注意什么，中文名金屬氧化物半導體絕緣柵場效應管。與普通的晶體三極管相比mos管場效應管在使用時要注意什么 ，具有以下四個優點，即
，輸入阻抗高
、開關速度快、熱穩定性好 、電壓控制電流等，MOS管現已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者 。

所有MOS集成電路(包括P溝道MOS ，N溝道MOS
，互補MOS—CMOS集成電路)都有一層絕緣柵，以防止電壓擊穿。一般器件的絕緣柵氧化層的厚度大約是25nm
、50nm、80nm三種
。在集成電路高阻抗柵前面還有電阻 —— 二極管網絡進行保護 ，雖然如此
，器件內的保護網絡還不足以免除對器件的靜電損害(ESD)，實驗指出 ，在高電壓放電時器件會失效
，器件也可能為多次較低電壓放電的累積而失效。

按損傷的嚴重程度靜電損害有多種形式，最嚴重的也是最容易發生的是輸入端或輸出端的完全破壞以至于與電源端VDD GND短路或開路 ，器件完全喪失mos管場效應管在使用時要注意什么了原有的功能 。稍次一等嚴重的損害是出現斷續的失效或者是性能的退化
，那就更難察覺
。還有一些靜電損害會使泄漏電流增加導致器件性能變壞。

MOS管的定義

MOS管做為電壓驅動大電流型器件，在電路尤其是動力系統中大量應用 ，MOS管有一些特性在實際應用中是我們應該特別注意的MOS管體二極管，又稱寄生二極管
，在單個MOS管器件中有，在集成電路光刻中沒有 ，這個二極管在大電流驅動中和感性負載時可以起到反向保護和續流的作用
，一般正向導通壓降在0.7~1V左右 。

因為這個二極管的存在，MOS器件在電路中不能簡單地看到一個開關的作用 ，比如充電電路中
，充電完成，移除電源后 ，電池會反向向外部供電
，這個通常是我們不愿意看到的結果
。

一般解決的方法是在后面增加一個二極管來防止反向供電，這樣雖然可以做到 ，但是二極管的特性決定必須有0.6~1V的正向壓降
，在大電流的情況下發熱嚴重，同時造成能源的浪費 ，使整機能效低下。還有一個方法是再增加一個背靠背的MOS管，利用MOS管低導通電阻來達到節能的目的
，這一特性另一個常見的應用為低壓同步整流 。

注意事項

MOS管導通后的無方向性，MOS在加壓導通后 ，就類似于一根導線
，只具有電阻特性，無導通壓降 ，通常飽和導通電阻為幾到幾十毫歐
，且無方向性，允許直流和交流電通過
。

使用MOS管的注意事項

1)為了安全使用MOS管 ，在線路的設計中不能超過管的耗散功率
，最大漏源電壓 、最大柵源電壓和最大電流等參數的極限值。

2)各類型MOS管在使用時，都要嚴格按要求的偏置接入電路中 ，要遵守MOS管偏置的極性 。如結型MOS管柵源漏之間是PN結
，N溝道管柵極不能加正偏壓;P溝道管柵極不能加負偏壓，等等
。

3)MOS管由于輸入阻抗極高 ，所以在運輸
、貯藏中必須將引出腳短路，要用金屬屏蔽包裝
，以防止外來感應電勢將柵極擊穿。尤其要注意，不能將MOS管放入塑料盒子內 ，保存時最好放在金屬盒內
，同時也要注意管的防潮 。

關于mos管場效應管在使用時要注意什么和mos場效應管應用的介紹到此就結束了，不知道你從中找到你需要的信息了嗎 ？如果你還想了解更多這方面的信息 ，記得收藏關注本站。