場效應管和mos管區(qū)別主要體現(xiàn)在:主體不同、特性不同和規(guī)則不同。
主體不同
場效應管:V型槽MOS場效應管 。是繼MOSFET之后新發(fā)展起來的高效 、功率開關器件。
MOS管:金屬-氧化物-半導體型場效應管屬于絕緣柵型。
特性不同
場效應管:不僅繼承了MOS場效應管輸入阻抗高(≥108W)、驅動電流小(左右0.1μA左右),還具有耐壓高(最高可耐壓1200V)、工作電流大(1.5a~100A) 、輸出功率高(1~250W)、跨導的線性好、開關速度快等優(yōu)良特性 。
MOS管:主要特點是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層 ,因此具有很高的輸入電阻(最高可達1015Ω)。
規(guī)則不同
場效應管:將電子管與功率晶體管之優(yōu)點集于一身,因此在電壓放大器(電壓放大倍數(shù)可達數(shù)千倍) 、功率放大器、開關電源和逆變器中正獲得廣泛應用。
MOS管:當VAH =0時管子是呈截止狀態(tài),加上正確的VAH 后 ,多數(shù)載流子被吸引到柵極,從而“增強 ”了該區(qū)域的載流子,形成導電溝道 。
MOS管作用mos管場效應管:用途廣泛 ,包括電視機高頻頭(高頻,小電流)到開關電源(高壓大電流),現(xiàn)在把MOS和雙極型(普通三極管)復合在一起(IGBT,絕緣柵雙極型晶體管) ,廣泛應用于大功率領域。
在計算機領域,CMOS指保存計算機基本啟動信息(如日期、時間、啟動設置等)mos管場效應管的芯片。人們會把CMOS和BIOS混稱,其實CMOS是主板上的一塊可讀寫的并行或串行FLASH芯片 ,是用來保存BIOS的硬件配置和用戶對某些參數(shù)的設定。
MOS場效應管也被稱為金屬氧化物半導體場效應管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET) 。它一般有耗盡型和增強型兩種。增強型MOS場效應管可分為NPN型PNP型。NPN型通常稱為N溝道型,PNP型也叫P溝道型 。
擴展資料:
當CMOS被使用來作數(shù)字影像器材的感光元件使用,稱有源像素感測器(Active Pixel Sensor) , 例如高分辨率數(shù)字攝影機與數(shù)碼相機,尤其是片幅規(guī)格較大的數(shù)碼單反相機更常見到CMOS的應用。
另外消費型數(shù)碼相機及附有照相功能的手機亦開始使用堆疊式有源像素感測器(Stacked CMOS,也有人譯為積層式有源像素感測器或堆棧式有源像素感測器) 或背面照射式有源像素感測器(BSI CMOS) ,使成像質量得以提升。 跟傳統(tǒng)的電荷耦合元件(CCD)相比,由于CMOS每粒像素都設有放大器,所以數(shù)據(jù)傳輸速度很高 。
雖然在用途上與過去CMOS電路主要作為固件或計算工具的用途非常不同 , 但基本上它仍然是采取CMOS的工藝,只是將純粹邏輯運算的功能轉變成接收外界光線后轉化為電能,再透過芯片上的數(shù)字─模擬轉換器(ADC)將獲得的影像信號轉變?yōu)閿?shù)字信號輸出。
參考資料來源:百度百科——場效應管
參考資料來源:百度百科——mos管
參考資料來源:百度百科——CMOS
mos管的作用:可應用于放大電路。由于MOS管放大器的輸入阻抗很高,因此耦合電容可以容量較小 ,不必使用電解電容器 。很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。可以用作可變電阻 。可以方便地用作恒流源。可以用作電子開關。
MOS管為壓控元件,只要加到它的壓控元件所需電壓就能使它導通,它的導通就像三極管在飽和狀態(tài)一樣 ,導通結的壓降最小,常說的精典是開關作用。去掉這個控制電壓經就截止 。
MOS管即金屬氧化物半導體型場效應管,屬于場效應晶體管中的絕緣柵型。因此 ,MOS管有時被稱為場效應管。在一般電子電路中,MOS管通常被用于放大電路或開關電路 。
MOS管的特性
開關特性。MOS管是壓控器件,作為開關時 ,NMOS只要滿足VgsVgs(th)即可導通,PMOS只要滿足Vgs。
開關損耗 。MOS的損耗主要包括開關損耗和導通損耗,導通損耗是由于導通后存在導通電阻而產生的 ,導通電阻都很小。開關損耗是在MOS由可變電阻區(qū)進入夾斷區(qū)的過程中,MOS處于恒流區(qū)時所產生的損耗。開關損耗遠大于導通損耗 。減小損耗通常有兩個方法,一是縮短開關時間,二是降低開關頻率。
由壓控所導致的的開關特性。由于制作工藝的限制 ,NMOS的使用場景要遠比PMOS廣泛,因此在將更適合于高端驅動的PMOS替換成NMOS時便出現(xiàn)了問題 。
在寬電壓的應用場景中,柵極的控制電壓很多時候是不確定的 ,為了保證MOS管的安全工作,很多MOS管內置了穩(wěn)壓管來限制柵極的控制電壓。
MOS管一般又叫場效應管,與二極管和三極管不同 ,二極管只能通過正向電流,反向截止,不能控制 ,三極管通俗講就是小電流放大成受控的大電流,MOS管是小電壓控制電流的。
MOS管的輸入電阻極大,兆歐級的 ,容易驅動,但是價格比三極管要高,一般適用于需要小電壓控制大電流的情況,電磁爐里一般就是用的20A或者25A的場效應管。
拓展資料:
MOS電容的特性能被用來形成MOS管 。Gate ,電介質和backgate保持原樣。在GATE的兩邊是兩個額外的選擇性摻雜的區(qū)域。其中一個稱為source,另一個稱為drain 。假設source 和backgate都接地,drain接正電壓。
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