G(柵極),D(漏極)s(源及) ,要求柵極和源及之間電壓大于某一特定值,漏極和源及才能導通
算一下幾個值就好了,UAH =6V。UDS=8V 。
根據NMOS增強型場效應管(UAH th就說明了是增強型,電壓UDUS說明是N溝道)的狀態判斷條件:納謹
當UAH UAH th時 ,截止(關斷區);
UDSUAH -UAH (th)時,可變電阻區(相當于三極管飽和區);
UDS=UAH -UAH (th)時,預夾斷(恒流區與可變電阻區的臨界點);
UDSUAH -UAH (th)時 ,恒流區(相當于三極管放大區);
你現在可以計算一下:UDS=8VUAH -UAH (th)=2V,所以明顯是屬于恒流區,此時對于每洞孝基個UAH ,都有一個iD與它對應,MOS管可視為電壓UAH 控制的恒流源。
你可以參考:童慎悔詩白,《模擬電子技術基礎》第四版 ,P46頁。
通俗點手源說,就是用G極的控制電壓來控制MOS管的導通,飽和 ,截止等狀態。使得D極的輸入電壓,在S極的輸出電雀漏壓上體現畢歲態出不同的狀態 。
MOS管三個極,分別是柵極(G)源極(S)和漏極(D)。
MOS器件是電壓控制型器件,察氏搏用柵極電壓來控敗祥制源漏的導通情況。
MOS管和三極管截止區:
NMOS管的如果柵壓小于閾值電壓 ,MOS管相當于兩個背靠背的二極管,不導通 。
NPN三極管也一樣,如果偏壓小于閾值電壓 ,也相當于兩個背靠背的二極管,不導通。
MOS管飽和區的介紹:
NMOS在漏極電壓比較高時,會使溝道夾斷 ,之核羨后即使電壓升高,電流不會再升高,因此叫做飽和區。
NPN三極管在集電極電壓比較高時 ,也會幾乎全部收集到從發射極過來的電子,電壓再升高也沒有辦法收集到更多,也是它的飽和區 。
關系簡弊是S極電壓可以無條件到D極 ,MOS管就失去了開關的作用。MOS管是指場效應晶體管,有G(gate柵極)/D(drain漏極)/S(source源攔猛族極)三個端口,分為PMOS管(P溝道知拿型)和NMOS(N溝道型)兩種。
MOS管導通后的Vgs電壓始終為做陸租該管的開啟電壓,和剛滿足導通條件時比較 ,導通后隨著源極S電位的升高,Vg電壓也要升高,在漏極電流不變的的情況下Vgs是個常數 。
N溝道與P溝道是不一樣的。如N溝道管 ,導通后Vgs與“偏置”電路有關,與其他無關。Vgs越大則導通電阻越小 。P溝道是相反的(在無“偏置 ”時,即正常時是導通的)。
mOS管注意:
1、為了安全使用MOS管 ,在線路的設計中不能超過管的耗散功率,最大漏源電壓 、最大柵源電壓和最大電流等參數的極悉逗限值。
2、各類型MOS管在使用時,都要嚴格按要求的偏置接入電路中 ,要遵守MOS管偏置的極性,如結型MOS管柵源漏之間是PN結。純兆N溝道管柵極不能加正偏壓,P溝道管柵極不能加負偏壓 。
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本文標簽:mos管的三個極電壓關系控制恒流
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