mos管的放大區就是飽和區,mos的三種狀態沒有擊穿區 ,是截至區 ,擊穿區可以定義為第四種狀態 。
估計mos管三種狀態你沒有好好看過書,這個問題在模電書上寫得十分清楚mos管三種狀態:
對于MOSFET而言 ,
(1) |Ugs|Ugs(th):截止區:
(2)|Ugs|Ugs(th),然后比較|Uds|與Ugs-Ugs(th)mos管三種狀態的大?。?/p>
如果相等:預夾斷mos管三種狀態;
如果小于:可變電阻區mos管三種狀態;
如果大于:恒流區;
下面問題簡單了:
第一個,ugs=6V ,uds=8V,恒流區
第二個,ugs=0V,截止區;
第三個 ,ugs=-6V,uds=-1V,可變電阻區;這個管子是p溝道增強型MOSFET ,其他兩個都是N-MOSFET
這是個自給偏置的電路結構mos管三種狀態 ,所以柵極電壓確定mos管三種狀態了,那么源極電壓也就確定了mos管三種狀態;
另外BSS169為N溝道耗盡型場效應管,在 Ugs=0V ,即具有導通能力,也就是說,Ug=5V時 ,Us=5V。
MOS管是一種晶體管,可以理解為:一個受電壓控制的電阻。根據電壓的大小可以調節MOS管的電阻大小,在工作中的MOS管根據電阻的大小可以分為三種區域(三種狀態):
1 、導通區(電阻幾乎為0,一般就是幾十mΩ ,相當于短路);
2、可變電阻區(類似一個可調電阻,阻值大小受電壓控制);
3、截止區(電阻幾乎無窮大,相當于斷路) 。
應用范圍很廣 ,可大體分為幾種狀態:
1 、MOS工作在導通區或者截止區的時候可以當開關使用。外加AH M信號可以用于調壓,電機調速等方面。
2、幾個MOS管搭配可以起到單向導通的作用(類似二極管單向導通),比二極管有優勢的地方是壓降小、功耗低 ,導通電流大 。低電壓大電流的情況下優勢更明顯;
3 、工作在可變電阻區的時候可以當一個電阻使用,一般集成芯片中的電阻就是使用這種方式的電阻,優勢是生產方便 ,體積小巧。
4、工作在可變電阻區還可以起到放大的作用,與三極管放大電路類似。
一共分四個區:可變阻區mos管三種狀態;預夾斷區mos管三種狀態;飽和區mos管三種狀態,恒流區或放大區;截止區或全夾斷區。JFET則分為:可變阻區;飽和區mos管三種狀態 ,恒流區或放大區mos管三種狀態,截止區;全夾斷區
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