me15n10-g在升壓電路中起什么做用？

ME15N10-G系列是一種CMOS升壓開關穩壓器15N10-G，它主要包括一參考電壓源 ，振蕩電路
，一個誤差放大器，一個相位補9償電路 ，15N10-G的AH M/ PFM切換控制電路。隨著內置低導通電阻N溝道功率MOS
，產品是適用于應用程序需要高效率和高輸出電流 。 “ME15N10-G系列交換機15N10-G的PFM控制電路15N10-G的占空比為15％，到下的AH M/ PFM切換控制電路輕負載 ，防止效率下降IC工作電流
。

特點：

低電壓操作:啟動是保證從0.9 V(IOUT = 1 mA)

負載比:內置開關控制電路AH M /PFM 15 - 78%。

振蕩器頻率:1.0 MHz

輸出電壓范圍:1.5 V ~ 6.5 V

輸出電壓精度:±2%

軟啟動功能:2 mS 。

應用:

MP3播放器 、數碼音頻播放器

數碼相機
、GPS、無線收發器

便攜式設備

基于AH6923 開關升壓穩壓電源的原理框圖如圖1所示，直流電源輸出24V的電壓分別送給基于AH6923 設計的兩個開關升壓電源模塊
，兩個開關升壓電源分別將送來的24V的直流電壓升至36V的輸出電壓共同對同一載供電
。為15N10-G了提高電源的性能，特別是保證電源有較大的輸出功率采用兩個升壓模塊并聯對負載供電。兩個電源模塊對負載供電的電流比例設定為1：1 ，供電電流的比例可通過分別對升壓模塊的輸出電壓微調實現 。

　AH6923 可調升降壓電路詳解

圖1基于AH6970 升壓開關穩壓電源原理框圖

3 、芯片X6L009介紹

芯片AH6970 的內部結構圖如圖2所示。芯片xL6009的引腳圖如圖3所示
。其中1腳是接地端;2腳是使能端（高電平輸出電壓
，低電平不能輸出電壓）;3腳是開關信號輸出端;4腳是輸入端;5腳是反饋端。

AH6923 可調升降壓電路詳解

圖2AH6970 的內部結構

AH6923 可調升降壓電路詳解

圖3xL6009的引腳圖

芯片x16009調節器是一寬輸入范圍，電流模式 ，能夠產生正或負輸出電壓的直流/直流轉換器 。它可以被配置為一升壓反激式SEPIC或反相轉換器
。

芯片x16009由功率N溝道MosFET管和固定頻率振蕩器構成
，電流模式結構在寬范圍輸入和輸出電壓下穩定工作。芯片x16009調節器的特性：

（1）輸入電壓范圍v5至32v;

（2）利用一只反饋引腳可將輸出電壓設置為正也可設置為負;

（3）電流模式控制提供了優良的瞬態響應;

（4）1.2v5參考電壓可調模式;

（5）固定400kHz的開關頻率;

（6）最大4A開關電流;

（7）sw引腳實現過電壓保護;

（8）效率高達到94度 。

4
、開關升壓電源電路工作原理

基于芯片AH6970 構成的開關升壓電源電路如圖4所示
。將輸入直流電壓（VI）給芯片的4腳和2腳，此時2腳處于高電平 ，使3腳可以輸出
，同時通過5腳的反饋電壓實現對輸出電壓大小的調節。其中在IC1模塊中輸出電壓U0=1.25*（1十Rl/時，在IC2的模塊中輸出電壓V0=1.25*（1十R3/R4） 。其中Rl和R3都為50K的可調電位器 ，通過調節Rl和R3
，一方面控制輸出電壓，使電壓輸出恒定36伏特左右 ，另一方面還可實現兩個升壓模塊對負載供電電流的比例為1：1
。

AH6923 可調升降壓電路詳解

圖4AH6970 開關升壓并聯供電系統

5、電路性能測試

5.1 、測試開關升壓電源所需儀器（如表1所示）

表1開關升壓電源測試所用儀器

AH6970 開關升壓并聯供電系統

5.2、開關升壓電源空載輸出電壓的測試

開關升壓電源空載時輸出電壓測試情況如表2所示。從表1可以看出：開關升壓電源輸出電壓為36伏特，輸入電壓范圍較大
，輸入電壓從3伏特開始電源就能輸出穩定的36伏特的電壓 。

AH6970 開關升壓并聯供電系統

5.3
、開關升壓電源負載調整率測試

從表3可知：開關升壓電源負載調整率為0.28%，輸出電流I0從0.2A到2A的變化過程中 ，輸出電壓值幾乎恒定不變
，穩壓特性非常好，帶負載的能力很強
。

表3開關升壓電源負載調整率測試情況

AH6970 開關升壓并聯供電系統

6、結論

該開關升壓電源對輸入電壓的調整能力強 ，輸出功率較大
，帶負載能力強，效率較高 ，輸出電壓可調。該電源性能優良
，有一定的實用價值 。

me15n10-g在顯示器上的作用?

作用最主要15N10-G的就是15N10-G你讓你的顯示器有一個更穩定的一個運行狀態來的15N10-G了。

ME15N10-G三極管用什么替代

場效應管
。

場效應管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。

在只允許從信號源取較少電流的情況下 ，應選用場效應管；而在信號電壓較低
，又允許從信號源取較多電流的條件下，應選用晶體管 。

場效應管是利用多數載流子導電 ，所以稱之為單極型器件，而晶體管是既有多數載流子
，也利用少數載流子導電，被稱之為雙極型器件
。

有些場效應管的源極和漏極可以互換使用 ，柵壓也可正可負
，靈活性比三極管好。

場效應管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應管集成在一塊硅片上 ，因此場效應管在大規模集成電路中得到了廣泛的應用 。

擴展資料：

主要參數：

1 、直流參數

飽和漏極電流IDSS它可定義為：當柵
、源極之間的電壓等于零
，而漏、源極之間的電壓大于夾斷電壓時，對應的漏極電流
。

夾斷電壓UP它可定義為：當UDS一定時 ，使ID減小到一個微小的電流時所需的UAH。

開啟電壓UT它可定義為：當UDS一定時
，使ID到達某一個數值時所需的UAH 。

2 、交流參數

交流參數可分為輸出電阻和低頻互導2個參數，輸出電阻一般在幾十千歐到幾百千歐之間 ，而低頻互導一般在十分之幾至幾毫西的范圍內
，特殊的可達100mS，甚至更高
。

低頻跨導gm它是描述柵
、源電壓對漏極電流的控制作用。

極間電容場效應管三個電極之間的電容 ，它的值越小表示管子的性能越好 。

參考資料來源：百度百科-場效應管

me15n_10是什么管
，

場效應管：型號：ME15N10 種類：結型(JFET)

溝道類型：N溝道 導電方式：耗盡型 用途：DUAL/配對管

封裝外形：CER-DIP/陶瓷直插 材料：N-FET硅N溝道

ME15N10-G,原裝Matsuki松木mos管

單N溝道，15a ，100V
， RDS(ON)≦100mΩ

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。