4N60參數描述
型號04N60s5參數:4N60
封裝:TO-220
特性:N溝道高壓MOS管
電性參數:4A 600V
正向電流(Io):4A
靜態漏極源導通電阻(RDS(ON)):2.5Ω
功耗(PD):104W
二極管正向電壓(VSD):1.4V
最大脈沖正向電流ISM:16A
零柵極電壓漏極電流(IDSS):1uA
工作溫度:-55~+150℃
引線數量:3
4N60是TO-220封裝系列。它的本體長度為15.87mm04N60s5參數,加引腳長度為28.57mm04N60s5參數,寬度為10.66mm ,高度為5.0mm,腳間距為2.54mm 。
4N6004N60s5參數的基本參數是600V,2.5Ω,4A。IRF84004N60s5參數的基本參數是500V,0.85Ω,8A。K111704N60s5參數,K1118的基本參數是600V,0.95Ω,6A 。因此840耐壓不夠不能替代04N60s5參數,而1117和1118可以替換。
是場效應管 ,4A,600V,可以用SO813 (FQPF)6N60替換。
由多數載流子參與導電,也稱為單極型晶體管。
它屬于電壓控制型半導體器件 。
具有輸入電阻高(107~1015Ω)、噪聲小 、功耗低、動態范圍大、易于集成 、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點 ,現已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。
擴展資料:
應用:
最早的實用“半導體”是「電晶體(Transistor)/二極體(Diode)」。
一、在無線電收音機(Radio)及電視機(Television)中,作為“訊號放大器/整流器”用 。
二 、發展「太陽能(Solar Power)」,也用在「光電池(Solar Cell)」中。
三、半導體可以用來測量溫度 ,測溫范圍可以達到生產、生活 、醫療衛生、科研教學等應用的70%的領域,有較高的準確度和穩定性,分辨率可達0.1℃;
甚至達到0.01℃也不是不可能,線性度0.2% ,測溫范圍-100~+300℃,是性價比極高的一種測溫元件。
四、半導體致冷器的發展, 它也叫熱電致冷器或溫差致冷器, 它采用了帕爾貼效應.
參考資料來源:百度百科-半導體
① 、關于以上這4n60s和4n60c這兩種場效應都屬于“N勾道場效應管 ”其參數為:最大電流:4A,耐壓:600V。此回答僅供你參考!
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